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许多分析师认为，存储供应商会继续向3D  NAND闪存中添加层次结构，而不再实现这一目标。 预计3D  NAND将在2021年前达到192层，2022年前达到256层。 Forward  Insights总裁兼最高分析师Gregory  Wong表示，存储供应商将继续增加层次和位数，同时降低总成本。 但是，增加层数意味着资本支出的增加、过程的复杂性和处理时间的增加。
Coughlin  Associates的总裁Tom  Coughlin也认为，随着存储设备使用更薄的层和层字符串技术，层数会继续增加。 但是，这些层的厚度和沉积速度是有限度的。 “增加层数会延长晶片生产时间，需要更多的晶片生产设备，需要建设新的生产工厂。”
根据Coughlin，没有其他技术进步，3D  NAND降低了存储成本，最值得注意的是每单元使用多比特的能力。 但是，每个单元格的位数越多，则需要更多的错误更正，存储单元格的耐用性越差，因此性能越差。 “要成功，必须减少传统的数据收集方法，尤其是擦除/写入周期。 这需要写入数据的高速缓存方法等。 ’他说
从长远来看，存储器和处理可以结合成真正的存储器处理。

但他说，要扩展位密度和降低闪存设备成本越来越困难。 然而，NAND快闪记忆体已经存在很长一段时间，因为它没有在位元密度和成本方面相互竞争的储存技术。
J  Metz是Rockport  Networks的首席技术官，也是storagenetworkingindustry协会(SNIA  )理事会的成员。 对QLC和新一代NAND闪存的5级单元进行了不同的研究。 他认为这些技术是不可避免的，但他质疑市场如何接受这些技术。 随着闪光三级机组(TLC  )设备价格的下降，很难判断其经济性是否难以与其他产品竞争。
尽管有这些顾虑，随着新产品的定期发售，QLC技术仍有很大的发展。 Objective  Analysis的社长Jim  Handy说：“3D  NAND的酷点之一是，今后一代也维持同样的单元尺寸和容量，从而支持QLC的开发。” 他还认为，PLC可能会出现这种情况。尽管如此，闪存的未来发展可能会持续影响每单位的耐久性。 因此，企业的QLC  NAND仅限于读取负载较高的工作负载，写入可能受到严格控制。 对PLC  NAND来说也是如此。
但是，QLC和PLC  NAND可与单元单元(SLC  )闪存组合，制作混合ssd。 Coughlin说：“分区存储的构思可以帮助创建各种闪存技术，以便将内容集中读取到SLC闪存、QLC和PLC闪存中。”
随着越来越多的NVMe  SSD进入数据中心，将NVMe-oF整合到企业工作流中的努力将呈指数增长。 其接口协议在整个网络中扩展了NVMe的性能和低延迟优势。 人们在Dell  EMC  powermax等产品中看到了NVMe-oF的发展轨迹。 NVMe-oF支持为资源密集型应用程序提供低延迟和快速响应时间。 Handy认为，NVMe-oF可能会成为标准系统架构，并且闪存的使用量会迅速增加。

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